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【栃木県小山市】[中国駐在]GaN系次世代デバイスメーカー/GaN系パワーデバイスのプロセスエンジニア

社名非公開

仕事内容	自社独自開発のGaN系デバイス開発に伴うプロセスエンジニア・中国山東省済寧市の関連企業に駐在・製品の共同開発・技術指導・通訳者もおります・年2回帰国可能　帰国後1ヶ月は休暇可能（2ヵ月/年）・・・
応募資格	【必要スキル】・GaNトランジスターやダイオードの設計の経験・プロセスの経験・デバイス特性評価の経験
年収	600万円〜 800万円まで
勤務地	栃木県小山市若木(本社時） JR小山駅より車で7分駐在時・・・
会社概要	窒化ガリウム系半導体エピ基板の開発および生産 GaN結晶成長・ AlGaN/GaN　GaN-HEMT基板・ GaN/サファイア GaN-テンプレート基板・ AlGaN/サファイア　紫外線センサ基・・・

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