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先端デバイス技術開発/三重【業界のリーディングカンパニー】

社名非公開

募集要項

仕事内容

◆当社NAND型フラッシュメモリや、新規メモリの更なる高集積化実現のためのデバイス技術開発業務。NAND型フラッシュメモリ(3D製品を含む)、新規メモリ、またはメモリ周辺回路用デバイスについて

・セル設計・デバイス設計
・ロット試作
・電気特性、信頼性の評価

いずれかを担当頂きます。

勤務地

三重県四日市市

年収

600万円 〜 1,000万円まで

給与・待遇

【給与】
月給21万円以上
※あくまで初任給(学卒新人)です、経験・能力を考慮し決定

【年収例】
583万円/28歳/独身/月給27万8000円+各種手当+賞与
821万円/37歳/既婚・子2人/月給38万900円+各種手当+賞与

昇給年1回、賞与年2回(7月、12月)
次世代育成手当(18歳未満の扶養対象児童一人あたり15,000円/月)、住宅費補助、通勤手当、時間外勤務手当等

【寮・社宅について】
入社にあたり転居が必要な方(通勤不可、現在社宅入居で退職時に転居必須、など)には適用されます。
・独身者=独身寮をご提供(会社指定物件)
・家族帯同時=借り上げ社宅をご提供(一般物件を選定)
・単身入社者=単身寮をご提供(会社指定物件)


【待遇】
社会保険完備
次世代育成手当(18歳未満の扶養対象児童一人あたり15,000円/月)、住宅費補助、通勤手当、時間外勤務手当、独身寮、単身寮、家族社宅、等

休日・休暇

完全週休2日制(土日)、祝日、 GW、夏季、年末年始、有給、育児休暇、介護休暇・赴任休暇、結婚休暇、慶弔休暇等

応募資格

【必須条件】
以下のいずれかの要件を満たす方
・半導体デバイス開発の経験
・MOSFETなどデバイス構造・動作に対しての知識を有する方
・半導体、電子デバイスなどのデバイス技術開発、製品技術、歩留り改善、量産立上げ経験
※ロジックLSI、ディスクリートなど、異なる製品の経験者も歓迎
※御経験の一致度を鑑み、別の職種での選考を打診させて頂くケースもございます。その際は面接前にご連絡させて頂きます。


高等専門学校以上

雇用形態

正社員

企業概要

会社名

社名非公開

会社概要・特徴

同社は世界で初めてフラッシュメモリを発明し、未来への道を開いてきました。
・1987年 世界初NANDフラッシュメモリの発明
・1991年 世界初NANDフラッシュメモリの量産
・2007年 世界初3次元フラッシュメモリ技術の発表

<業績>
直近の「営業利益額ランキング」がございますが、営業利益4791億円は国内全企業中13位に相当。営業利益率も39.8%と製造業においてはトップレベルとなります。 

業種

メーカー(半導体・電気・電子部品)

企業規模

1000人以上

更新日 2019/10/18
この求人を担当する転職アドバイザー
転職アドバイザー

ヒューマンタッチ株式会社 大阪支社

松田 直輝(マツダ ナオキ)

  • 男性

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転職を考えられる理由は様々だと思います。
面談を通じてしっかりとヒアリングさせて頂き、その方の転職の軸を見つけ
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